Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -12A | Idm: -40A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -12A | Idm: -40A
EB Kood: EB232917812
Tootja kauba kood: SIA469DJ-T1-GE3
Tootja kauba kood:
SIA469DJ-T1-GE3
Tootja, kaubamärk: VISHAY
Tootja, kaubamärk:
VISHAY
0,41 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -12A |
Pulsed drain current | -40A |
Power dissipation | 15.6W |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 40mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 32nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |