Tulkot latviski
Module: IGBT | diode/transistor | IGBT half-bridge | Urmax: 1.2kV
Module: IGBT | diode/transistor | IGBT half-bridge | Urmax: 1.2kV
EB Kood: EB1151335509
Tootja kauba kood: IXA20PG1200DHGLB
Tootja kauba kood:
IXA20PG1200DHGLB
Tootja, kaubamärk: IXYS
Tootja, kaubamärk:
IXYS
16,94 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | diode/transistor |
Topology | IGBT half-bridge |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Collector current | 23A |
Case | SMPD-B |
Electrical mounting | SMT |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 45A |
Power dissipation | 130W |
Technology | ISOPLUS™ |
Technology | Sonic FRD™ |