Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 24A | 250W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 24A | 250W | TO268
EB Код: EB1750621218
Код товара производителя: IXBT24N170
Код товара производителя:
IXBT24N170
Производитель, бренд: IXYS
Производитель, бренд:
IXYS
36,37 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Collector current | 24A |
| Power dissipation | 250W |
| Case | TO268 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 230A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 0.14µC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 190ns |
| Turn-off time | 1285ns |
| Features of semiconductor devices | high voltage |