Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 140W | TO268
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 140W | TO268
EB Код: EB1052532185
Код товара производителя: IXBT10N170
Код товара производителя:
IXBT10N170
Производитель, бренд: IXYS
Производитель, бренд:
IXYS
14,66 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | IGBT |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Collector current | 10A |
| Power dissipation | 140W |
| Case | TO268 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 40A |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 30nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 63ns |
| Turn-off time | 1.8µs |
| Features of semiconductor devices | high voltage |