Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -12A | Idm: -40A

EB Kods: EB232917812

Ražotāja preces kods: 
SIA469DJ-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

0,41 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-12A
Pulsed drain current-40A
Power dissipation15.6W
Gate-source voltage±20V
On-state resistance40mΩ
MountingSMD
Gate charge32nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced