Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | SPLIT GATE TRENCH | unipolar | -100V | -9.5A
Transistor: P-MOSFET | SPLIT GATE TRENCH | unipolar | -100V | -9.5A
EB Код: EB242770146
Код товара производителя: YJQ15GP10A
Код товара производителя:
YJQ15GP10A
Производитель, бренд: YANGJIE TECHNOLOGY
Производитель, бренд:
YANGJIE TECHNOLOGY
0,47 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | SPLIT GATE TRENCH |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -100V |
Drain current | -9.5A |
Pulsed drain current | -45A |
Power dissipation | 17.2W |
Case | DFN3.3x3.3 EP |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.12Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 3.98nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |