Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 228A | Idm: 912A | 320.5W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 228A | Idm: 912A | 320.5W
EB Код: EB750112869
Код товара производителя: WMJ028N10HGS
Код товара производителя:
WMJ028N10HGS
Производитель, бренд: WAYON
Производитель, бренд:
WAYON
2,71 €
excl. VAT / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 228A |
Pulsed drain current | 912A |
Power dissipation | 320.5W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 3mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 145nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |