Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -100V | -195A | 390W | 200ns
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -100V | -195A | 390W | 200ns
EB Kodas: EB1300220138
Gamintojo prekės kodas: IXTR210P10T
Gamintojo prekės kodas:
IXTR210P10T
Gamintojas, prekės ženklas: IXYS
Gamintojas, prekės ženklas:
IXYS
40,33 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchP™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -100V |
Drain current | -195A |
Power dissipation | 390W |
Case | ISOPLUS247™ |
Gate-source voltage | ±15V |
On-state resistance | 8mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 740nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 200ns |