Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1A | 6W | PG-SOT223 | ESD

EB Koodi: EB534146748

Valmistajan tuotekoodi: 
IPN80R4K5P7ATMA1

Valmistaja, merkki: 
INFINEON TECHNOLOGIES

 1,11 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1A
Power dissipation6W
CasePG-SOT223
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.5Ω
MountingSMD
Gate charge4nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhanced
VersionESD