Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | PolarHV™ | unipolar | 800V | 3.6A | Idm: 8A | 100W

EB Koodi: EB119532436

Valmistajan tuotekoodi: 
IXTP4N80P

Valmistaja, merkki: 
IXYS

 3,82 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHV™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current3.6A
Pulsed drain current8A
Power dissipation100W
CaseTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance3.4Ω
MountingTHT
Gate charge14.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time560ns