Tulkot latviski
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO268HV
Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 150W | TO268HV
EB Koodi: EB1493240679
Valmistajan tuotekoodi: IXBT16N170AHV
Valmistajan tuotekoodi:
IXBT16N170AHV
Valmistaja, merkki: IXYS
Valmistaja, merkki:
IXYS
19,49 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | IGBT |
Technology | BiMOSFET™ |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Collector current | 10A |
Power dissipation | 150W |
Case | TO268HV |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 40A |
Mounting | SMD |
Gate charge | 65nC |
Kind of package | tube |
Turn-on time | 43ns |
Turn-off time | 370ns |
Features of semiconductor devices | high voltage |