Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -40V | -4.1A | Idm: -16A | 1W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -40V | -4.1A | Idm: -16A | 1W | SOT23
EB Koodi: EB671896579
Valmistajan tuotekoodi: SQ2389ES-T1_GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SQ2389ES-T1_GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,21 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -40V |
Drain current | -4.1A |
Pulsed drain current | -16A |
Power dissipation | 1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 169mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 12nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |