Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -450mA | 190mW
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -450mA | 190mW
EB Koodi: EB2124348477
Valmistajan tuotekoodi: SI1013CX-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SI1013CX-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
0,56 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -450mA |
Pulsed drain current | -1.5A |
Power dissipation | 0.19W |
Case | SC89 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 1.5Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |