Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 8A | Idm: 32A | 2W | DFN2020-8S
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 8A | Idm: 32A | 2W | DFN2020-8S
EB Koodi: EB394120016
Valmistajan tuotekoodi: RF4E080GNTR
Valmistajan tuotekoodi:
RF4E080GNTR
Valmistaja, merkki: ROHM SEMICONDUCTOR
Valmistaja, merkki:
ROHM SEMICONDUCTOR
0,75 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 8A |
Pulsed drain current | 32A |
Power dissipation | 2W |
Case | DFN2020-8S |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 17.6mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 5.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |