Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 100A | 167W | PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 100A | 167W | PG-TO252-3
EB Kood: EB540520099
Tootja kauba kood: IPD034N06N3GATMA1
Tootja kauba kood:
IPD034N06N3GATMA1
Tootja, kaubamärk: INFINEON TECHNOLOGIES
Tootja, kaubamärk:
INFINEON TECHNOLOGIES
2,49 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS™ 3 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 100A |
Power dissipation | 167W |
Case | PG-TO252-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 3.4mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |